固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于创建自定义 SSR。模块化部分和接收器或解调器部分。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。因此设计简单？如果是电容式的，还需要散热和足够的气流。该技术与标准CMOS处理兼容，以满足各种应用和作环境的特定需求。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，通风和空调 （HVAC） 设备、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，从而实现高功率和高压SSR。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，特别是对于高速开关应用。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以及工业和军事应用。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。每个部分包含一个线圈，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，无需在隔离侧使用单独的电源，

此外，涵盖白色家电、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，并为负载提供直流电源。工业过程控制、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，